热门: 生物制药 污染控制 传感器
本期内容
赞助企业
行业新闻
中国学者开创第三类存储技术 破解国际难题
中国学者开创第三类存储技术 破解国际难题
录入时间:2018/4/10 18:12:23

中国学者开创第三类存储技术 破解国际难题

 复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队率先成功开创第三类存储技术。他们研发的二维半导体准非易失存储原型器件,解决了以往国际半导体电荷存储技术中写入速度非易失性难以兼得的难题。

  中国学者研发的准非易失性存储器写入速度比目前U盘快10000倍,数据刷新时间是现有内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,还可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。

  2018410日,这项研究在线发表于《自然纳米技术》。该杂志在评审意见中表示,器件设计提升了相关电子应用领域的技术水平,该研究成果可谓重要里程碑。

  据了解,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,例如计算机中的内存,掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,例如人们常用的U盘,在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒内写入数据,后者需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

  研究人员告诉记者,此次研发的新型电荷存储技术,既满足了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10-10)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中极大降低存储功耗,同时还可实现数据有效期截止后自然消失。在特殊应用场景中,这样的技术解决了保密性和传输的矛盾。

  据了解,这项研究创新性地选择了多重二维材料堆叠构成了相关晶体管。周鹏形象地介绍:一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙,电子难以进出。对写入速度非易失性的调控,就在于这两部分的比例。

  团队发现,利用二维半导体实现新型结构存储,在集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器方面潜力巨大。中国学者研发的准非易失性存储器未来将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多个领域发挥重要作用。

 


上一篇:解开长生不老之谜?中国重磅研究成... 下一篇:潘建伟入选《自然》2017十大科...

版权声明:
《洁净室》网站的一切内容及解释权皆归《洁净室》杂志社版权所有,未经书面同意不得转载,违者必究!
《洁净室》杂志社。
友情链接
  首页 | 关于我们 | 联系我们 |
Copyright© 2018: 《洁净室》; All Rights Reserved.
请用 Microsoft Internet Explorer 6.0 或以上版本
Please use Microsoft Internet Explorer 6.0 or higher version.
备案序号:粤ICP备 12025165号